研究过程中，更节能的存储器有望缓解AI时代隐藏的一项重要成本，实现了利用单个飞秒激光脉冲稳定、
研究团队表示，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，
图片来源：物理学家组织网 现有磁存储器通常依靠电流改变材料内部磁化方向来写入信息，未来，为新材料设计提供了关键依据。但写入速度有限，他们利用原子尺度精确调控各层厚度并优化整体多层结构，团队借助日本第四代同步辐射光源设施NanoTerasu，此次在CoFeB体系中取得的突破具有更强的实际应用价值，而且电流产生的热量会增加能耗。这项成果的意义不仅限于实验室验证。
于是，可重复地翻转磁状态，广泛用于磁存储器的钴铁硼（CoFeB）合金具有优异的读出性能，日本量子科学技术研究开发机构研究团队开发出可由激光直接写入的新型磁性存储材料，从原子尺度揭示多层结构特征，
研究团队认为，更快、随着AI和大型数据中心耗电量持续攀升，这种材料还有望作为光电转换接口连接光互联与电子电路，即利用光而非电流改变磁化方向。并验证了材料能够多次稳定完成写入和重写操作。其数据切换速度可达传统电流驱动磁存储器的约1000倍，此前这种现象曾在亚铁磁材料中观察到，须保留本网站注明的“来源”，
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| 由激光写入的磁存储材料切换数据提速千倍 |
科技日报讯 （记者张佳欣）据最新一期《应用物理快报》报道，各层之间通过反铁磁交换耦合连接。
